在科學(xué)界，讓碳納米管代替現(xiàn)有硅基晶體管的呼聲越來越高，碳納米管晶體管的主要技術(shù)挑戰(zhàn)過去幾年已被陸續(xù)得到解決。近日，來自北京大學(xué)的一項(xiàng)研究表明相同尺寸的兩種晶體管相比，碳納米管材料更省電高效。　　 

　　目前硅基互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）晶體管已經(jīng)很難再繼續(xù)縮小下去，碳納米管是替代硅的候選納米材料之一。北京大學(xué)的科學(xué)家開發(fā)出柵長5納米的碳納米管場效應(yīng)晶體管，聲稱其性能超過相同尺寸的硅晶體管。碳納米管晶體管的柵電容更小，即使硅基設(shè)備縮小到碳納米管設(shè)備相同尺寸，后者的開關(guān)速度仍然更快。10納米碳納米管CMOS柵電容導(dǎo)致的延遲大約為70飛秒，僅為Intel14納米硅基CMOS的三分之一。　　 

　　北大的研究報(bào)告發(fā)表在近日出版的《科學(xué)》期刊上。研究人員稱，碳納米管晶體管比硅基晶體管操作速度更快，工作電壓更低。論文通訊作者Lian-MaoPeng預(yù)測(cè)，碳納米管電子產(chǎn)品有望在2022年取代硅基CMOS。