德國慕尼黑–2015年2月6日–英飛凌科技股份公司（FSE：IFX/OTCQX：IFNNY）近日推出新型低飽和壓降VCE（sat）IGBT。此類IGBT專門針對50Hz至20kHz的低開關頻率范圍進行了優化。這個范圍的開關頻率常見于不間斷電源（UPS）以及光伏逆變器和逆變焊機中。新L5系列基于TRENCHSTOP？5薄晶片技術，使本來就很低的導通損耗因為載流子結構的優化得到了進一步降低。 

　　憑借25°C時典型飽和壓降（VCE（sat））為1.05V的傲人成績，此類新型IGBT成功地將效率水平提升到一個新的高度——用L5系列代替它的前輩TRENCHSTOPIGBT，使效率在NPC1拓撲中提升高達0.1％，在NPC2拓撲中提升0.3％。再加上VCE（sat）的溫度系數為正，保持高效率的同時還能直接并聯——樹立了20kHz以下頻率的IGBT的行業標桿。鑄造新L5系列靈魂的TRENCHSTOP5技術，不但能提供無與倫比的低傳導損耗，還能將25℃時的總開關損耗降至1.6mJ。綜上所述，在低開關頻率應用場合使用英飛凌新推出的低飽和壓降IGBT能提升效率，增加可靠性并且縮小系統的尺寸。 

　　第一波面世的新L5IGBT系列采用業界標準的TO-2473針封裝技術。此外，為了滿足需要進一步增強效率的應用場合，英飛凌還提供TO-2474針開爾文-發射極封裝版（Kelvin-Emitterpackage）的L5IGBT。與標準的TO-2473針封裝版相比，TO-2474針封裝版的開關損耗減少了20％。因此，L5與TO-2474針封裝的結合，不但創造了終極版低傳導能耗和低開關損耗成績，還幫助英飛凌鞏固了在為高功率市場提供高度創新并且與眾不同的產品方面的領先地位。 

　　配置規格 

　　新型低飽和壓降L5系列有30A和75A兩種規格，一種是單IGBT形式，另一種則合裝有英飛凌的超快Rapid1和Rapid2硅二極管。TO-2474針開爾文-發射極封裝版有75A規格。 

　　（來源：中國半導體行業信息網       2014年2月10日）