一、項目名稱 

　　射頻功率場效應晶體管流片加工服務(wù)項目。 

　　二、單一來源外包理由說明 

　　中國科學院微電子研究所開發(fā)的X7N65DM型射頻功率場效應晶體管是一款高壓N溝增強型射頻場效應管，具有大功率、高增益、高效率及高可靠的特點，在5G移動通信、電子電力及射頻能源領(lǐng)域有廣泛應用。該產(chǎn)品設(shè)計開發(fā)是依托北京燕東微電子科技有限公司的射頻工藝平臺，采用非標準、定制化的射頻MOSFET特色工藝加工。目前產(chǎn)品的器件設(shè)計和工藝設(shè)計已磨合成熟，為產(chǎn)品在5G移動通信等應用領(lǐng)域的廣泛應用提供了必要條件，為實現(xiàn)大功率、高增益、高效率及高可靠的國產(chǎn)化射頻產(chǎn)品批量供貨提供了必要保障。 

　　北京燕東微電子科技有限公司隸屬于北京電子控股集團公司，為市屬中型國有企業(yè)，是一家涵蓋集成電路設(shè)計、制造、銷售于一體的IDM高科技公司，目前擁有1條8英寸晶圓生產(chǎn)線、一條6英寸晶圓生產(chǎn)線以及一條年產(chǎn)80億只的超小型封裝生產(chǎn)線和現(xiàn)成封裝線，提供先進的射頻工藝設(shè)計和非標準化工藝的定制開發(fā)服務(wù)，是國內(nèi)唯一可以滿足該產(chǎn)品特殊工藝要求且完全自主可控的晶圓代工廠，能夠滿足該型號產(chǎn)品對大功率、高增益、高效率及高可靠等射頻全部性能指標的工藝加工要求。因此，采用單一來源的方式委托北京燕東微電子科技有限公司進行流片加工服務(wù)。 

　　三、該項目擬外包給北京燕東微電子科技有限公司。 

　　四、征求意見期限從2021年9月1日至2021年9月7日止。 

　　本項目公示期為2021年9月1日至2021年9月7日。有關(guān)單位和個人如對公示內(nèi)容有異議，請在2021年9月7日17:00（北京時間）之前以實名書面（包括聯(lián)系人、地址、聯(lián)系電話）形式反饋至中國科學院微電子研究所質(zhì)量處，地址：北京朝陽區(qū)北土城西路3號，郵編：100029，聯(lián)系電話：82995527。 

                                             　                                                                 中國科學院微電子研究所 

　　                                                                                                                 2021年8月27日