《Journal of Microelectronic Manufacturing》（JoMM，ISSN：2578-3769）旨在發(fā)表集成電路制造領(lǐng)域中從基礎(chǔ)研究階段到工業(yè)大規(guī)模量產(chǎn)階段的研究成果，目前已被Crossref、DOAJ、CNKI、CSTJ、CAS等數(shù)據(jù)庫收錄。JoMM的發(fā)表內(nèi)容包括但不限于Design、Process、Metrology & Yield Control、Packaging、Materials、Equipment 等方面。近期，JoMM出版了第三卷第二期。
本期專題文章如下：
High-Pressure Oxidation on Ge: Improvement of Ge/GeO2Interface and GeO2Bulk Properties
ChoongHyun Lee, 2020 JoMM Volume 3, Issue 2: 20030202
FinFET Performance Enhancement by Source/Drain Cavity Structure Optimization
Man Gu, Wenjun Li, Haiting Wang, Owen Hu. 2020 JoMM Volume 3, Issue 2: 20030201
作為開放閱覽電子學(xué)術(shù)期刊，JoMM致力于實現(xiàn)快速發(fā)表，稿件錄用后即時上線，可閱覽、下載、引用。目前JoMM正在進(jìn)行2020年征稿，并免版面費，同時也在征集Special Issue的專題（CAD Technologies & Materials），以及歡迎新編委、同行評審專家加入JoMM，詳情請查看官網(wǎng)http://www.jommpublish.com/.
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