近日，國家自然科學基金委員會信息科學部組織專家組在北京召開了重大項目中期評估會，對中國科學院微電子研究所主持的重大項目“氮化鎵基毫米波器件和材料基礎與關鍵問題研究”進行了中期檢查。專家組聽取了項目負責人、微電子所所長葉甜春研究員所作的項目總體執(zhí)行情況匯報以及三個子課題的執(zhí)行情況匯報，并進行了質(zhì)詢和討論。

　　該項目圍繞GaN基毫米波功率器件研制中涉及的核心科學和技術(shù)問題開展工作，對GaN基毫米波器件制備和材料生長中的關鍵科學問題、GaN基功率器件可靠性關鍵科學問題、GaN基毫米波功率器件與材料的新結(jié)構(gòu)三個方面進行了深入和系統(tǒng)研究。項目和各課題均按照研究計劃順利實施，部分結(jié)果超額完成，尤其在高阻緩沖層與薄勢壘GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料、GaN毫米波器件和電路、高場2DEG輸運特性、新型GaN功率器件、可靠性機理等方面取得了重要進展。

　　專家組經(jīng)過認真討論，認為本項目出色的完成了預期目標，且某些領域超額完成任務要求。最后，專家組一致同意本項目通過中期檢查。