近日，毫米波GaN功率器件在微電子研究所微波器件與集成電路研究室（四室）研制成功。該研究項目得到了國家基金委和相關(guān)部門的支持。 

　　毫米波GaN功率器件采用凹柵槽與T型柵結(jié)合的新結(jié)構(gòu)，有效縮短了柵長，降低了寄生電容。其截止頻率（fT）104.3GHz，最高振蕩頻率（fmax）達(dá)到160GHz。30G下MAG達(dá)到13.26dBm，并進(jìn)行了30G下的功率測試，是國內(nèi)目前已知相關(guān)研究中的最高頻性能。 

　　GaN器件和電路是一直是國內(nèi)外的研究熱點，在光電子和微電子領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景。毫米波GaN功率器件在研究中面臨著材料和器件設(shè)計、關(guān)鍵技術(shù)等多方面的難題，微電子所毫米波研究小組大膽創(chuàng)新，在各個材料單位的密切配合下，獲得重大突破，攻克了多項關(guān)鍵技術(shù)難關(guān)，建立了完整的工藝流程，極大的推動了國內(nèi)GaN器件與電路的研究進(jìn)展。 

　　　　圖1　最高截止頻率fT =104.3GHz

　　圖2　最高振蕩頻率fmax=160GHz