8月27-29日，“2015年中國(guó)原子層沉積技術(shù)交流與學(xué)術(shù)研討會(huì)”在杭州成功舉辦。本次研討會(huì)由中科院微電子所、復(fù)旦大學(xué)主辦，浙江大學(xué)硅材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室承辦，來(lái)自全國(guó)各地近百位知名教授、專家學(xué)者參加了研討會(huì)。 

　　本次研討會(huì)旨在為本領(lǐng)域?qū)＜覍W(xué)者提供了解國(guó)內(nèi)外ALD工藝、前驅(qū)體源和設(shè)備技術(shù)等方面最新發(fā)展動(dòng)態(tài)的交流平臺(tái)，進(jìn)一步推動(dòng)我國(guó)ALD技術(shù)的快速發(fā)展。 

　　研討會(huì)上，微電子所趙超研究員、李超波研究員作了最新研究成果報(bào)告。與會(huì)人員就感興趣的問(wèn)題積極踴躍提問(wèn)并進(jìn)行了熱烈的討論。會(huì)議同時(shí)舉行了“中國(guó)儀表功能材料學(xué)會(huì)原子層沉積（ALD）專業(yè)分會(huì)”授牌儀式。中國(guó)儀表功能材料學(xué)會(huì)副秘書長(zhǎng)唐逾向微電子所微電子設(shè)備技術(shù)研究室（八室）主任夏洋研究員授予“原子層沉積（ALD）專業(yè)分會(huì)”牌匾。 

　　原子層沉積（ALD）作為一種自限制生長(zhǎng)的納米級(jí)成膜技術(shù)，具有精確的原子層級(jí)厚度控制、高度的共行覆蓋能力、較低的生長(zhǎng)溫度等優(yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已被廣泛地應(yīng)用于微電子、光電子、催化、能源、光學(xué)、防護(hù)、生物醫(yī)用材料等領(lǐng)域。 

授牌儀式