為促進我國半導體數值仿真領域的快速發展和相關學科間的交流與融合，圍繞半導體數值仿真技術中存在的問題，搭建學術交流平臺，展示成果，啟迪思路，博采眾長，合作攻關，8月23日，中國科學院微電子研究所成功舉辦了第一屆全國“半導體數值仿真技術論壇”——抗輻照數值模擬技術專題。

　　此次論壇由微電子所主辦，參會單位有航天五院511物資部、航天集團772所、西北核技術研究所、蘭州近代物理所、原子能研究院、航天八院808所、中電24所、中電29所、西安電子科技大學、西安交通大學、北京師范大學和蘇州珂晶達科技公司等12家單位，參會成員共計60多名業界專家。論壇由中科院微電子所硅器件與集成技術研究室（一室）趙發展博士主持。

　　中科院微電子所硅器件與集成技術研究室（一室）主任韓鄭生、科技處副處長熊偉致論壇開幕詞，航天五院物資部可靠性總工程師于慶奎作《數值模擬在SER評估中的應用》報告，微電子所趙發展博士作《數值仿真在輻射效應分析中的歷史與展望》報告，微電子所鄭中山研究員作《Hspice在SEU機理研究中的應用及其它》報告，微電子所曾傳濱博士作《激光脈沖單粒子效應測試影響因素研究》報告，蘇州珂晶達科技公司的設計師貢頂和沈忱分別作了《應用geant4進行粒子模擬的一些考慮》和《SRAM芯片輻射效應分析實例》的報告。

　　會后，會議論文集還收錄了來自西北核技術研究所研究員、中科院新疆理化所郭紅霞研究員為本次論壇撰寫的特邀報告《單粒子效應數值模擬的幾點認識》。

　　通過此次論壇，業內專家充分探討和交流了近年來國內外抗輻照數值模擬仿真技術在技術研發及應用方面的現狀和創新，將富有積極性和創造性的意見和建議不斷匯聚。未來，中科院微電子所也將通過不斷提升技術能力和創新能力在中國半導體數值仿真技術領域繼續發揮積極作用。