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微電子所三室08級畢業生管偉華榮獲“2011國家優秀自費留學生獎學金”

稿件來源: 發布時間:2012-06-28

  5月25日,駐紐約總領館隆重舉辦2011年度“國家優秀自費留學生獎學金”頒獎儀式暨招待會。微電子所納米加工與新器件集成技術研究室(三室)08級畢業生管偉華,作為38名獲獎者之一榮獲了“2011國家優秀自費留學生獎學金”。

  管偉華目前在耶魯大學讀博士4年級,專業是電子工程,2011年獲得HHMI International Student Research Fellowships。2005至2008年在微電子所讀碩士期間師從劉明研究員,針對前瞻的下一代非揮發性半導體存儲器,他細致開展了以納米晶浮柵存儲器為代表的推進型方案和以阻變存儲器為代表的革命型方案的研究,并在下一代非揮發性半導體存儲器學科方向和領域的發展起到了引領帶頭作用,為阻變存儲器和納米晶存儲器研究領域的后續研究奠定了堅實的基礎。

  “國家優秀自費留學生獎學金”由國家留學基金管理委員會于2003年設立,獎勵我海外優秀在讀博士生。評審工作由申請人所在領區和中國國內相關領域的專家按照“公開、公平、公正”的原則進行,最終選出獲獎人員。

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孫國祥總領事為管偉華頒發獲獎證書和獎金

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