6月1日，新加坡南洋理工大學(xué)Prof. Tan Cher Ming到微電子所進(jìn)行學(xué)術(shù)交流，并做題為“Physics of Electromigration in Today ULSI Interconnection”學(xué)術(shù)報(bào)告。微電子所三室李泠研究員主持交流會(huì)并致歡迎詞，30余名科研人員及研究生參加了交流會(huì)。

　　報(bào)告中，Prof. Tan Cher Ming主要介紹了電遷移對(duì)超大規(guī)模集成電路可靠性的影響問(wèn)題。他介紹到，由于集成電路技術(shù)節(jié)點(diǎn)的不斷推進(jìn)，電遷移的物理特性也發(fā)生變化，電子風(fēng)力不再是唯一的驅(qū)動(dòng)力，并且應(yīng)用在黑色方程中也被證明是不準(zhǔn)確的。他還介紹了“電遷移的基本物理特性和電遷移對(duì)電路性能的影響”、“分別采用實(shí)驗(yàn)和建模的方法顯示不斷變化的電遷移驅(qū)動(dòng)力”以及“由于電遷移作用而修正后替代黑方程的模型來(lái)描述互連壽命”等問(wèn)題。報(bào)告后，與會(huì)聽(tīng)眾與Prof. Tan Cher Ming就電遷移在3D電路模型顯示、模擬電路、數(shù)字電路、射頻IC基本構(gòu)建塊中的影響的問(wèn)題進(jìn)行了交流討論。

　　Prof. Tan Cher Ming 1984年畢業(yè)于新加坡國(guó)立大學(xué)，1987年和1992年在多倫多大學(xué)分別獲得電氣工程碩士學(xué)位和博士學(xué)位。在1996年加入南洋理工大學(xué)擔(dān)任教員之前擁有10多年的電子行業(yè)經(jīng)驗(yàn)。已經(jīng)出版200多篇國(guó)際期刊和會(huì)議論文，并持有5專(zhuān)利和1項(xiàng)軟件著作權(quán)。現(xiàn)任IEEE高級(jí)會(huì)員和IEEE電子器件學(xué)會(huì)的特聘講師，IEEE納米技術(shù)新加坡分會(huì)的創(chuàng)會(huì)主席，美國(guó)質(zhì)量學(xué)會(huì)的高級(jí)會(huì)員，新加坡工程師學(xué)會(huì)會(huì)員，其主要科研領(lǐng)域包括互連可靠性的數(shù)值模擬，固態(tài)設(shè)備的可靠性，物理，固態(tài)設(shè)備的可靠性測(cè)試方法，固態(tài)故障分析故障，設(shè)備和系統(tǒng)的可靠性統(tǒng)計(jì)分析。