5月11日，臺(tái)灣國(guó)立中山大學(xué)物理系張鼎張教授到中科院微電子所進(jìn)行學(xué)術(shù)交流，并做題為“下一代新穎非揮發(fā)性電阻式存儲(chǔ)元件之制備與物理機(jī)制研究”的學(xué)術(shù)報(bào)告。微電子所納米加工與新器件集成技術(shù)研究室（三室）副主任謝常青研究員主持交流會(huì)并致歡迎詞，30余名科研人員及研究生參加了交流會(huì)。所人教處處長(zhǎng)趙永鳳向張鼎張教授頒發(fā)了中國(guó)科學(xué)院微電子研究所 “榮譽(yù)研究員”的聘書(shū)。

　　交流會(huì)上，張鼎張教授首先介紹了臺(tái)灣國(guó)立中山大學(xué)的基本概況，展示了國(guó)立中山大學(xué)的附近高雄港、西子灣以及校園、圖書(shū)館的照片，讓大家有了直觀地解了。報(bào)告中，他介紹了閃存存儲(chǔ)器的物理極限阻止其發(fā)展等問(wèn)題，并對(duì)以阻變存儲(chǔ)器、相變存儲(chǔ)器、磁存儲(chǔ)器等為主的下一代新型非揮發(fā)性存儲(chǔ)器進(jìn)行了介紹。其中，他重點(diǎn)介紹了阻變存儲(chǔ)器，他說(shuō)阻變存儲(chǔ)器具有操作電壓低、操作速度快、保持時(shí)間長(zhǎng)、非破壞性讀取、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單以及與CMOS工藝兼容等優(yōu)點(diǎn)，將逐漸成為目前新型非揮發(fā)存儲(chǔ)器的研究重點(diǎn)。對(duì)于阻變存儲(chǔ)器的元件制備與物理機(jī)制等前沿研究，他提出了新結(jié)構(gòu)、新材料、新技術(shù)等研究。其中新結(jié)構(gòu)方面，主要研究金屬細(xì)絲形成的延伸電機(jī)結(jié)構(gòu)、具有氧局限作用的雙層結(jié)構(gòu)和金屬納米點(diǎn)嵌入結(jié)構(gòu)；在新材料方面，主要研究了摻雜金屬的氧化硅、金屬硅化物的氧化物、全透明的阻變存儲(chǔ)器和研究電極材料等；在新技術(shù)方面，主要研究了超臨界流體低溫修補(bǔ)技術(shù)和超高阻變狀態(tài)的電阻轉(zhuǎn)變特性技術(shù)等。

　　報(bào)告后，與會(huì)聽(tīng)眾與張鼎張教授還就阻變機(jī)理、新材料、新技術(shù)、新結(jié)構(gòu)等學(xué)術(shù)界關(guān)注的技術(shù)問(wèn)題進(jìn)行了熱烈的學(xué)術(shù)討論。