2017年11月15日19點，中科院微電子所研究員羅軍做客由中國科學院大學微電子學院主辦的“集成電路新技術及應用”系列講座。本次講座在國科大雁棲湖校區教1-107舉行，羅軍老師為同學們帶來了題為“先進源漏接觸技術”的精彩講座。 

　　羅老師首先為大家簡要介紹了漏源硅化物技術，通過拓展區電阻和接觸電阻在器件中比重演變指出，硅化物技術對于降低漏源電阻尤其是接觸電阻至關重要。緊接著羅老師講解了硅化物技術的演變，即從到再到。幾種硅化物技術分別面臨著不同的技術挑戰，例如的挑戰就是在細線條中難以形成低阻的C54 相；Si擴散在側墻上形成，導致柵與漏源短路；形成溫度高；消耗Si最多等。而硅化物有其獨特的優勢，我們可以利用摻C或N的方式提高的熱穩定性，并以此來制備超薄超高熱穩定性的薄膜。

　　羅老師還向大家介紹了調制硅化物肖特基勢壘高度的常用技術：雜質分凝技術，并且以硼和砷為例闡述了雜質分凝對肖特基勢壘高度的影響。在此基礎上還有改進的硅化物雜質分凝技術，改進后的技術對調制勢壘高度更加有效，可以更加顯著地降低接觸電阻。 

　　接下來老師又講解了如何控制Ni硅化物在溝道區的穿通，以及Ni硅化物技術在器件中的集成和先進的歐姆接觸技術。

　　最后，老師對今天的報告進行了總結：摻C和N可以將薄膜的熱穩定性提高150；超薄外延的Ni及NiPt硅化物薄膜具有超高的熱穩定性；三種Ni硅化策略均可以控制向溝道區的橫向侵入；集成了以上Ni硅化物技術的平面和三維器件具有良好的器件特征。 

　　講座進入尾聲，羅軍老師與同學們進行了互動，并對同學們的疑問進行了認真解答。在這兩個小時的講解中，同學們既結合到了課堂所學，又了解了前沿的科學技術，受益匪淺。