2017年11月1日晚19時，中科院微電子所研究員殷華湘老師蒞臨我院主辦的“集成電路新技術(shù)及應(yīng)用”系列講座，為國科大的學(xué)子帶來了精彩的專題講座“集成電路中的新器件”。

　　本次系列講座由中國科學(xué)院大學(xué)微電子學(xué)院主辦，共分為7個部分，內(nèi)容涵蓋了集成電路的設(shè)計、關(guān)鍵器件以及先進(jìn)工藝等方面。主講人均由來自于中科院微電子所得優(yōu)秀導(dǎo)師擔(dān)任。

　　殷華湘老師，中國科學(xué)院微電子研究所研究員，主要從事先進(jìn)集成電路技術(shù)、新型氧化物傳感器件的研究。迄今發(fā)表超過30余篇學(xué)術(shù)論文，進(jìn)行10余次的國際學(xué)術(shù)報告，曾承擔(dān)或參與的科研項目有：重大專項項目“22納米關(guān)鍵工藝技術(shù)先導(dǎo)研究與平臺建設(shè)等，目前擁有國內(nèi)外專利申請100余項，其中美國專利超過30余項。

　　在本次講座中，殷老師利用詳細(xì)的數(shù)據(jù)和直觀的曲線圖以核心器件—MOS晶體管摩爾定律尺寸微縮、集成度、性能大幅提高為發(fā)展主線，分析了邏輯集成電路（IC）發(fā)展趨勢；同時介紹了現(xiàn)今MOS晶體管的關(guān)鍵技術(shù)挑戰(zhàn)，指出若要革新技術(shù)，便要提升性能、減少功耗。

　　殷老師指出，3D FinFET是兼容主流IC平面工藝的新器件，其技術(shù)已成為IC國際產(chǎn)業(yè)界的主流技術(shù)，但是國內(nèi)目前落后2~3個技術(shù)代，老師教導(dǎo)我們新一代的年輕人要擔(dān)負(fù)起集成電路器件發(fā)展的重?fù)?dān)，用我們的勤奮和智慧縮小與國外的技術(shù)差距。

　　最后，殷老師總結(jié)到：環(huán)柵納米線與高遷移率溝道新器件是Post-FinFET的主要發(fā)展方向，前者較為成熟，而后者仍然面臨不少挑戰(zhàn)；另外，Beyond Moore等新原理器件是IC突破晶體管能效發(fā)展限制的基本方式，但受技術(shù)限制，其綜合性能指標(biāo)目前相比最新硅基MOSFET仍具有較大差距。

　　在歷時2個小時零20分鐘的講座中，殷老師詳細(xì)的數(shù)據(jù)、形象的圖表向同學(xué)們展示了各新型器件技術(shù)及優(yōu)勢，同學(xué)們紛紛表示收獲頗多，感謝老師的傳道受業(yè)解惑。