10月27—31日，中科院青年創(chuàng)新促進(jìn)會2020年學(xué)術(shù)年會暨“青促會講堂”在武漢召開。微電子所青促會組長王盛凱研究員、副組長彭松昂副研究員、秘書組卜建輝副研究員代表微電子所青促會參加了會議。 

　　王盛凱出席了中科院青促會年度工作會議，與院內(nèi)各兄弟單位的青促會代表共同學(xué)習(xí)了習(xí)近平總書記和白春禮院長的講話，學(xué)習(xí)了優(yōu)秀分會及優(yōu)秀小組的先進(jìn)經(jīng)驗，并就青促會建設(shè)中的遇到的問題和解決方案同與會代表進(jìn)行了分享和討論。 

　　在工程與裝備分會場，王盛凱作了題為《基于高壓微波等離子體氧化方法的新型SiC MOS柵氧技術(shù)》的報告，介紹了SiC MOS所面臨的難點(diǎn)問題以及基于高壓微波等離子體的新型氧化方法，探討了該方法在解決SiC MOS柵氧中碳?xì)埩羧毕莘矫娴膬?yōu)勢。 

　　彭松昂主持了信息與管理科學(xué)分會場，并作了題為《石墨烯射頻場效應(yīng)晶體管研究”的報告》，介紹了當(dāng)前石墨烯射頻場效應(yīng)晶體管面臨的挑戰(zhàn)及研究現(xiàn)狀，報告了石墨烯射頻場效應(yīng)晶體管關(guān)鍵工藝及器件物理方面的研究成果。 

      與會人員就感興趣的話題進(jìn)行了深入討論。本次會議對推動微電子與兄弟院所的交流合作、促進(jìn)交叉創(chuàng)新發(fā)揮了積極作用。