10月22日，微電子所光電研發中心在北京新技術基地舉行EUV光刻及掩模檢測學術交流會，邀請瑞士保羅謝勒研究所Yasin 教授作了題目為“EUV lithography and Metrology for more Moore”的交流報告。光電研發中心30多名職工、研究生參加了交流會。交流會由光電研發中心主任周維虎研究員主持。 

　　Yasin教授在報告中介紹了未來后摩爾時代的EUV光刻技術及測量技術，進一步介紹了基于同步輻射的EUV光刻技術的發展現狀，詳細介紹了不同類型光刻膠在EUV波段干涉光刻曝光特性研究進展，對未來5納米及以下光刻技術進行了展望。他結合自身科研工作，詳細介紹了基于同步輻射光源的疊層成像技術在EUV掩模檢測中的優勢，對瑞士保羅謝勒研究所下一步在EUV掩模檢測方面的研究工作進行了展望，并對未來10納米以下有圖形晶圓檢測和測量的技術趨勢以及同步輻射源在該領域的應用可能性進行論證。 

　　參會人員就EUV光刻技術及掩模檢測技術同Yasin教授進行了廣泛、深入的討論和交流，并對與瑞士保羅謝勒研究所的未來合作提出了設想和期望。 

交流會現場