9月11日，中科院神經(jīng)科學(xué)所王佐仁研究員來微電子所進(jìn)行學(xué)術(shù)交流，并作了題為《憶阻器神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)與腦模擬》的學(xué)術(shù)報告。微電子所微電子重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室副主任劉琦研究員主持交流會。來自全所各部門的科研人員、研究生近40人參加了會議。  

　　憶阻器是一種新型的電子元件，其阻值伴隨流經(jīng)它的電荷量變化而變化，這一獨(dú)特學(xué)性使其成為模擬神經(jīng)突觸可塑性的理想元件。自2008年起，憶阻器受到極大的關(guān)注并迅速成為研究熱點(diǎn)。應(yīng)用憶阻器的簡單電路即可模擬神經(jīng)突觸可塑性。在此基礎(chǔ)上，以憶阻器交叉陣列為代表的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)不僅可實(shí)現(xiàn)卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的卷積及監(jiān)督學(xué)習(xí)、神經(jīng)信息的稀疏編碼和解碼，還可實(shí)現(xiàn)無監(jiān)督的自主學(xué)習(xí)。王佐仁詳細(xì)介紹了基于腦科學(xué)與微電子學(xué)的大規(guī)模憶阻器神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的設(shè)計及研究以及異步的脈沖神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)，闡述了大腦工作原理，模擬了一些重要的腦功能。與會人員就憶阻器神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)與腦模擬等研究同王佐仁進(jìn)行了學(xué)術(shù)討論。  

　　王佐仁現(xiàn)任中科院神經(jīng)科學(xué)所高級研究員，神經(jīng)科學(xué)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室副主任，主要從事神經(jīng)科學(xué)與類腦智能的交叉研究。