3月17日，美國德克薩斯農(nóng)工大學(xué)教授Yue Kuo來微電子所訪問交流。交流活動由微電子所微電子重點實驗室主任劉明院士主持。科研人員、研究生共40余人參加了交流活動。 

　　Yue Kuo作了題為“Research from Giga to Nano to Optoelectronics with Breakthroughs along the Path”的學(xué)術(shù)報告，指出金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）和薄膜場效應(yīng)晶體管（TFT）是目前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)兩個主要的固態(tài)器件。前者遵循摩爾定律的發(fā)展，尺寸縮小至納米尺度；后者具備集成為高密度、大面積陣列的優(yōu)勢。兩者具有相同的工作原理，面臨著共同的挑戰(zhàn)。他講解了納米電子和極大電子基于相似的物理和化學(xué)原理，介紹了所在實驗室取得的基于等離子體薄膜沉積技術(shù)、High-K電介質(zhì)的MOSFET和TET研究成果。 

　　Yue Kuo獲美國哥倫比亞大學(xué)碩士、博士學(xué)位，曾在IBM T. J. Watson研究中心和硅谷從事半導(dǎo)體技術(shù)研究近20年，1998年至今任美國德克薩斯州農(nóng)工大學(xué)教授，創(chuàng)建了著名的薄膜微納電子學(xué)研究實驗室，致力于ULSI和TFT的器件、材料及工藝研究。榮獲美國電化學(xué)學(xué)會電子學(xué)和光子學(xué)獎、10項IBM技術(shù)和發(fā)明獎，發(fā)表期刊論文350多篇。 

交流會現(xiàn)場