近日，2015年度美國電氣電子工程師協會（IEEE）國際電子器件大會（IEDM）文章遴選工作結束，微電子所納米加工與新器件集成技術研究室（三室）研究員劉明課題組的3篇研究論文入選會議文章。

　　微電子所三室長期從事新型存儲器研究工作，在存儲器材料、結構、集成以及相關的物理機制方面開展了系統的研究工作，取得了系列創新性研究成果，一大批研究成果發表在Nature Communications、Advanced Materials、ACS Nano、IEEE Electron Devices Letters等相關領域一流期刊上，得到了國際同行的廣泛引用和認可。

　　高密度三維集成是存儲器的主要發展趨勢，在阻變存儲器的三維集成中，漏電問題是核心問題。劉明課題組在國際上首次實現了四層堆疊結構的垂直交叉陣列，設計了結合阻變功能層與低漏電閾值轉變層的新型自選通阻變器件，實現了低漏電、高選擇比、低功耗等特性，并提出了完全兼容于Cu互連工藝的高性能通用選通器件，利用Cu摻雜HfO2材料的閾值轉變特性，成功構建了具有pA級漏電的通用選通器件。相關研究論文“Demonstration of 3D Vertical RRAM with Ultra Low-leakage, High-selectivity and Self-compliance Memory Cells”、“Cu BEOL Compatible Selector with High Selectivity（>107）, Extremely Low Off-current（~pA）and High Endurance（>1010）”入選IEDM會議文章。

　　新型半導體器件集約模型的建立是實驗室環境器件研發和工業化IC設計的基礎。劉明課題組在國際上首次提出了基于兩種傳輸理論的石墨烯晶體管的物理集約模型。該模型得到了微電子所四室金智課題組的實驗數據的驗證，經過一系列嚴格的測試方法，證明其可以應用到商業CAD工具中，并對其射頻應用進行了系統的仿真。相關研究論文“A New Surface Potential Based Physical Compact Model for GFET in RF Applications”入選IEDM會議文章。

　　IEDM是微電子領域頂級會議之一，在國際半導體技術界具有廣泛的影響力，被譽為“微電子器件領域的奧林匹克盛會”，每年全球僅100余篇文章入選會議文章。