4月15日，微電子所青促會舉辦2015年第二期“微電子技術創新論壇”，邀請北京航空航天大學教授趙巍勝作了題為《自旋存儲器（STT-MRAM）當前的挑戰及機遇》的報告。微電子所副總工程師韓鄭生研究員、微波器件與集成電路研究室（四室）主任金智研究員、科研人員及研究生共30余人參加了交流會。交流會由所青促會會長畢津順主持。  

　　趙巍勝在報告中指出，隨著半導體技術發展遇到功耗瓶頸，使用自旋電子的自旋屬性設計新型器件，被廣泛認為是解決功耗瓶頸的關鍵技術之一。當前，英特爾、高通、三星等國際大型半導體公司都在全力研發自旋電子存儲芯片并進行專利積累從而繼續壟斷數據存儲計算芯片。在我國，雖然傳統的磁存儲器（MRAM）已大量應用于高可靠性領域并產生了巨大的經濟價值，但STT-MRAM的研發和產業化步伐一直被推后。趙巍勝詳細介紹了當前被廣泛關注的基于界面垂直磁各向異性STT-MRAM的研發進展以及面臨的機遇與挑戰。與會人員就自旋存儲器及相關技術問題與趙巍勝進行了交流，大家均表示收獲良多。  

　　趙巍勝現任北京航空航天大學自旋電子交叉學科研究中心主任，法國國家科學研究中心終身研究員；出版學術專著2部，發表論文100余篇，授權國際發明專利4項；擔任多個SCI期刊編委和國際刊物固定評閱人。 

交流會現場