1月19日，蘇州大學功能納米與軟物質研究院副教授Mario Lanza博士來微電子所做學術交流，并作了題為“Nanoscale Studies of Resistive Switching in HfO2 RRAM”的學術報告。三室副主任龍世兵研究員主持交流會，微電子所科研人員、研究生共30余人參加了交流會。 

　　Mario Lanza在報告中介紹了研究團隊在阻變存儲器（RRAM）研究的最新進展，通過使用導電原子力顯微鏡（CAFM）和半導體參數分析儀（SPA）分析了高k電介質的電學性能，證明了下一代非易失性存儲器中功能層HfO2薄膜中電阻開關（RS）的起源。實驗結果表明，在HfO2薄膜中，由于其固有的高濃度缺陷，RS僅發生在多晶試樣的晶粒間界，這導致了軟介電擊穿和可逆的導電細絲。由于CAFM的針尖在高電流下穩定性很差，可能導致不可逆的破壞。為克服這一問題，Mario Lanza的研究團隊制備了用石墨烯薄層覆蓋的超穩定化CAFM針尖，并觀察到了諸如電流通過導電絲從動的極性依賴性等新現象。與會人員與Mario Lanza就阻變存儲器的電阻轉變機理、導電原子力顯微鏡的使用及應用等進行了熱烈的學術討論。 

　　Mario Lanza現任蘇州大學功能納米與軟物質研究院實驗室副教授、Wiley雜志晶體研究和技術期刊顧問委員會成員，獲得巴塞羅那自治大學電子工程系博士學位，曾任斯坦福大學居里夫人博士后研究員，在《科學》、《先進材料》、《納米研究》、《應用物理快報》和IEEE等頂尖學術期刊發表論文35篇。

交流會現場