10月27日，法國原子能委員會電子與信息技術實驗室（CEA-LETI）硅技術器件研究中心首席科學家Simon Deleonibus博士來微電子所做學術交流，并做了題為“Towards Full 3D, Zero Variability and Zero Power Future Micro/Nano-Electronics”的學術報告。微電子所三室副主任龍世兵副研究員主持交流會，所內科研人員及研究生共30余人參加了交流會。 

　　Simon Deleonibus博士簡要介紹了CEA-LETI硅技術器件研究中心概況，對研究中心的微納技術、生物技術、新能源技術三個研究方向做了詳細論述。他指出，大幅度降低功耗是集成電路的發(fā)展趨勢，高性能CMOS和存儲器在系統(tǒng)層面有助于實現(xiàn)能源效率最大化，將成為行業(yè)未來的主要發(fā)展目標。他隨后介紹了三維集成及建構新系統(tǒng)減小功耗等研究的進展情況。交流會后，與會人員就器件三維集成、低功耗等行業(yè)關注的技術問題與Simon Deleonibus博士進行了熱烈的學術討論。 

　　Simon Deleonibus博士現(xiàn)任CEA-LETI硅技術器件研究中心首席科學家、電子納米器件實驗室主任，發(fā)表論文超過600篇，擁有專利32項，擔任IEEE Transactions on Electron Devices等知名期刊的編輯，曾被選為IEEE院士及IEEE杰出講師，他發(fā)明的接觸插頭原理已成為互連過程中廣泛使用的標準。 

交流會現(xiàn)場