10月27日—11月1日，微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心科研人員參加第224屆國際電化學(xué)會(huì)議(ECS 224th)，并作關(guān)于２２納米技術(shù)代工藝研發(fā)工作成果的報(bào)告，受到業(yè)內(nèi)關(guān)注。 

　　國際電化學(xué)協(xié)會(huì)(electrochemical society, ECS)于1902年在美國創(chuàng)立，是具有廣泛國際影響的學(xué)術(shù)組織，目前擁有8000多名注冊(cè)會(huì)員，包括來自70多個(gè)國家的科學(xué)家和工程師。ECS大會(huì)已舉行224屆，是一個(gè)具有重要影響力的學(xué)術(shù)盛會(huì)。先進(jìn)集成電路工藝以及相關(guān)材料，整合技術(shù)是ECS大會(huì)的一個(gè)重要主題。每次會(huì)議都吸引集成電路研發(fā)領(lǐng)域的知名研究機(jī)構(gòu)和公司參加。 

　　有來自世界各地的約3000多位科學(xué)家和工程人員參加了本次大會(huì)，IMEC、 IBM、 Global foundry、 Samsung,、Micro,、Applied materials,、LAM、 ASM等研究機(jī)構(gòu)和企業(yè)到會(huì)做了精彩的報(bào)告。微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心楊濤、崔虎山、王桂磊、項(xiàng)金娟、孟令款5位科研人員，分別就“22nm工藝開發(fā)中鎢金屬柵填充及化學(xué)機(jī)械平坦化”、“ALD工藝前驅(qū)源對(duì)Al2O3/Ge界面的影響”以及“后柵集成工藝中阻擋層TaN評(píng)估”等主題作了報(bào)告，受到了與會(huì)的IMEC、IBM、Global foundry、 Samsung、 ASM等工業(yè)界學(xué)術(shù)代表的廣泛關(guān)注。 

　　經(jīng)過三年多工藝平臺(tái)建設(shè)的艱苦工作，集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心建成了能夠開展高端CMOS工藝研發(fā)的平臺(tái)，并在兩年多的時(shí)間里取得了一系列面向20納米平面CMOS工藝和14納米FinFETS工藝研發(fā)的成果。此次在ECS大會(huì)上展示的成果集中于20納米技術(shù)代中的工藝難點(diǎn)，并回答了“W金屬是否對(duì)金屬柵的Vt有影響？”、“ALD TaN層作為后柵工藝阻擋層的可行性”等工業(yè)界廣泛關(guān)注的問題，其成果對(duì)高K-金屬柵的工業(yè)應(yīng)用具有直接影響。 

　　通過參加此次ECS會(huì)議，集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心的工作成果得到了三星、臺(tái)積電、聯(lián)電等工業(yè)界同行的高度評(píng)價(jià)，得到了業(yè)界的廣泛關(guān)注，與國際同行建立了相關(guān)的聯(lián)系，為今后科研工作水平進(jìn)一步提升帶來了積極影響。集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心也將為成為業(yè)內(nèi)國際知名研究機(jī)構(gòu)而不斷努力。