11月15日，新加坡南洋理工大學周興教授來微電子所進行學術交流。并作了題目為Unification of MOS Compact Models with the Unified Regional Modeling Approach的精彩報告。

　　報告中，周興教授詳細分析了目前已有的MOS模型以及各種模型的優缺點，并提出了一種集約模型——Xsim。Xsim集約模型通過同一區域化的方法可以統一MOSFET模型。他認為，相比于其他MOSFET模型，Xsim集約模型在模擬和驗證統一化的MOSFET架構中的一些現象和規律時能同時兼顧新結構中的計算精度和計算速度，比如在部分耗盡（PD）、全耗盡（FD）、超薄體硅器件（UTB）、對稱或非對稱雙柵結構（s-DG/a-DG）器件中的應用。并且Xsim模型能以最少的物理參數來用于SPICE一類的仿真軟件驗證肖特基勢壘型的MOSFET中的雙極性電流和模擬不對稱的源/漏MOSFET等等。聽完周教授的報告，與會者紛紛表示很受啟發，認為Xsim集約模型對以后的模型研究工作很有借鑒和參考價值。

　　周興教授于1990年在羅切斯特大學獲得博士學位。1992年加入南洋理工大學的電器與電子工程學院，現擔任副教授。目前主要研究方向是集約模型電路模擬中的發展和應用。他曾經擔任過斯坦福大學、廣島大學和馬來西亞理工大學的客座教授。2002年至今，任集約模型座談討論會的主席。此外，還是IEEE EDS（IEEE Electron Devices Society） 執行委員會的成員，從2000年開始，擔任EDS 的講師。2007年至今，擔任《IEEE Electron Device Letters》期刊的編輯。

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