應(yīng)微電子所納米加工與新器件集成技術(shù)研究室主任劉明研究員的邀請，11月2日，西班牙巴塞羅那自治大學(xué)的Jordi Su?é教授來微電子所做學(xué)術(shù)交流，并作了題為Threshold switching and memory switching in electroformed metal oxides的報告。

　　報告中，Jordi Su?é教授首先簡要介紹了其研究小組的成員以及各自的研究方向，簡述了其在氧化物可靠性領(lǐng)域的一些研究結(jié)果與進展。報告主要圍繞著threshold switching 與memory switching 的對比展開，以其研究小組的實驗結(jié)果為例，展示了不同實驗條件與不同器件結(jié)構(gòu)下的數(shù)據(jù)結(jié)果，并且提出了QW模型來解釋電荷的隧穿機制和電阻轉(zhuǎn)變,得到了一系列的結(jié)論，最后就兩種switching 方式目前仍存在的一些問題進行討論與提問。

　　Jordi Su?é教授1989年博士畢業(yè)于巴塞羅那自治大學(xué)物理系。2002年成為巴塞羅那自治大學(xué)電子工程系的全職教授。于1996-2002 期間為電子工程系主任，并從2011年起至今繼續(xù)做電子工程系的主任。1989年秋在IMEC做過研究學(xué)者，1990年和1991在博洛尼亞大學(xué)做過訪問學(xué)者。Jordi Su?é教授在期刊或會議上發(fā)表過300多篇文章，其中有13篇IEDM 會議文章和一些約稿文章，并分別于2001, 2004, 2005, 2008, 2009年在IEEE-IRPS發(fā)表過5篇有關(guān)氧化物可靠性的指南性文章。這些文章總引用次數(shù)1900次以上，H-index 為23，并多次獲得政府和企業(yè)的多種獎項。