2011年8月8 日—11日，第十二屆電子封裝技術和高密度封裝國際會議（ICEPT-HDP2011）在上海龍東商務酒店舉行。中科院微電子所系統封裝研究室（九室）派出二十人團隊參會并發表論文14篇，受到參會各方面人士的極大關注，其中一篇榮獲杰出論文獎（Outstanding Paper Award）。

　　ICEPT-HDP 系列會議多年來得到了電子元件封裝和生產技術學會（IEEE-CPMT）的全力支持和IMAPS、ASME和iNEMI等國際著名行業組織的積極參與。ICEPT-HDP 2011由中國電子學會電子制造與封裝技術分會（EMPT）主辦，上海大學承辦，國內外參會代表400余人。與會代表分別圍繞先進封裝與系統封裝、封裝材料與工藝、封裝設計與模擬、高密度基板及組裝技術、封裝設備及先進制造技術、質量與可靠性控制、新興領域封裝等8個方面進行了分組討論。

　　此次中科院微電子所不僅派出了強大團隊參會，論文發表篇數也居各參會單位之首。其中赫然等人的論文《Nonlinear Thermo-Mechanical Analysis of TSV Interposer Filling with Solder, Cu and Cu-Cored Solder》榮獲杰出論文獎。該論文提出一種新的TSV的金屬填充方法，使用銅芯錫球來快速填充盲孔，具有工藝簡單、速度快、成本低的特點，克服了傳統填充方法速度慢、成本高的問題。該方法在國際屬首創，受到了參會國內外各方的極大關注。另外，王惠娟等人的“高密度三維硅基PN結電容”、張霞等人的“埋入有源元件的功能基板”、周靜等人的“高密度高功率芯片封裝的散熱設計”、趙寧等人的“BT/BST/ST多層薄膜MFM電容”、劉豐滿等人的“高密度光電集成測量方法和電學設計”、李君等人的“電子封裝的新型散熱結構”、郭學平等人的“埋入有源元件的有機基板的熱管理”、賈佳等人的“使用GTLE的SiP信號完整性模擬”、王海東等人的“高速互連的串擾分析和優化”、楊坤等人的“引線鍵合對SiP高速連接的傳輸特性的影響”、李寶霞等人的“高速封裝基板的電源分布網絡的超寬帶噪聲隔離”、陶文君等人的“高速高密度ASIC封裝的電學設計”、周云燕等人的“基于GTLE和過孔模型的多層電源分布網絡的電源完整性模擬”等研究內容，都吸引了參會者的極大關注。國內外同行對中科院微電子所系統封裝技術研究室在電學設計上的優勢給予了充分的肯定，并對研究室在光互連領域和三維集成技術的研究表示出極大的興趣。

　　此次國際會議對鞏固微電子所在封裝研究領域的地位，提升在先進封裝技術的國際影響力具有積極意義。而參會人員也通過與各方研究人員的交流開拓了視野，看到了與世界先進水平的差距，了解到許多技術信息，為今后科研工作更上一層樓積累了寶貴的經驗。