6月4日，四室舉辦了“陳高鵬、吳旦昱同學(xué)參加美國(guó)RFIC會(huì)議”經(jīng)驗(yàn)交流會(huì)，向四室全體人員分享受邀參加“美國(guó)RFIC會(huì)議”過(guò)程中的經(jīng)歷和收獲。交流會(huì)由四室主任劉新宇研究員主持。

　　陳高鵬同學(xué)通過(guò)此次會(huì)議了解到了國(guó)外最先進(jìn)的技術(shù)，最前沿的研究熱點(diǎn)和趨勢(shì)。在硅基毫米波、GaN功率器件、THz、石墨烯等研究領(lǐng)域，國(guó)外已經(jīng)發(fā)展的如火如荼，目前國(guó)內(nèi)在這些研究領(lǐng)域已經(jīng)全面落后于國(guó)際先進(jìn)水平。究其原因，雖然是科研條件所限，但更重要的原因是我們的科研視野和科研方法已經(jīng)落后于國(guó)外各大科研機(jī)構(gòu)。在看到自身的差距時(shí)，陳高鵬同學(xué)認(rèn)為，堅(jiān)持科學(xué)院的特色，在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域我們?nèi)匀淮笥锌蔀椤Ｊ┳鳛閲?guó)際的科研熱點(diǎn)，將是趕超國(guó)際先進(jìn)水平的契機(jī)。在學(xué)術(shù)活動(dòng)中，不宜妄自菲薄，要多發(fā)國(guó)外文章，多參加國(guó)際交流，開(kāi)拓思路，形成影響力。

　　吳旦昱同學(xué)簡(jiǎn)要介紹了RFIC會(huì)議的背景，作為射頻集成電路領(lǐng)域每年一次的頂級(jí)會(huì)議，我國(guó)大陸自97年以來(lái)在會(huì)議上共發(fā)表13篇文章，2010年發(fā)表4篇，其中微電子所2篇。吳旦昱感觸頗深的是，國(guó)外學(xué)術(shù)界非常開(kāi)放，有了新的成果馬上就可以發(fā)表，減少了重復(fù)性工作，加快了科研進(jìn)度。相比較而言，國(guó)內(nèi)由于眼界不夠廣，重復(fù)建設(shè)過(guò)多，開(kāi)放程度較差而導(dǎo)致逐漸落后于國(guó)外。吳旦昱特別舉例了一些2010年下半年和2011年的重要國(guó)際會(huì)議，鼓勵(lì)在場(chǎng)的科研人員積極申請(qǐng)參加。

　　劉新宇研究員在認(rèn)真聽(tīng)取兩位同學(xué)的報(bào)告后表示，四室自從建室以來(lái)就特別注重國(guó)際科研交流，積極開(kāi)拓國(guó)際視野。多年來(lái)，在向國(guó)際化發(fā)展的努力下，四室整體科研水平得到飛速提高。劉新宇研究員認(rèn)為，陳高鵬和吳旦昱同學(xué)能夠受邀參加本次RFIC會(huì)議，表明四室的整體科研水平已經(jīng)獲得了一定程度的國(guó)際認(rèn)可。四室通過(guò)這次會(huì)議的全過(guò)程積累了國(guó)際大會(huì)的經(jīng)驗(yàn)，展示了多年來(lái)的科研成果，具有重要得意義。劉新宇研究員號(hào)召大家向陳高鵬和吳旦昱兩位同學(xué)學(xué)習(xí)，爭(zhēng)取更多參加國(guó)際大會(huì)的機(jī)會(huì)，努力增強(qiáng)科學(xué)素養(yǎng)，開(kāi)拓科研視野。