5月13日，應(yīng)微電子所納米加工與新器件集成技術(shù)研究室主任劉明研究員的邀請(qǐng)，美國中部佛羅里達(dá)州大學(xué)的Juin J. Liou（劉俊杰）教授到微電子所進(jìn)行學(xué)術(shù)訪問，并作了題目為“Electrostatic Discharge (ESD) Protection Solutions for Modern and Future Integrated Circuits”的學(xué)術(shù)報(bào)告。 

　　報(bào)告中，劉俊杰教授深入淺出的為大家講解了集成電路靜電保護(hù)的原理、模型、設(shè)計(jì)原則、設(shè)計(jì)方法以及測(cè)試等內(nèi)容，他指出，靜電放電的過程使得很高的電流在很短的時(shí)間內(nèi)通過集成電路芯片，而35%的芯片破壞都是由這一過程造成的。隨著CMOS工藝尺寸的不斷縮小，靜電保護(hù)變得越來越重要。劉俊杰教授還著重講解了Charged Decive Model （CDM）模型，比較了靜電保護(hù)設(shè)計(jì)中常用的 SCR、 GGNMOS、 Diode三種方法的優(yōu)劣以及如何通過測(cè)試檢驗(yàn)設(shè)計(jì)方法的適用性等問題。 

　　交流中，劉俊杰教授耐心的回答了與會(huì)者提出的“接地在ESD設(shè)計(jì)中模擬仿真的作用以及如何開展ESD設(shè)計(jì)”等實(shí)際問題，并為到場(chǎng)的ESD設(shè)計(jì)人員進(jìn)行了詳盡的指點(diǎn)。 

　　劉俊杰教授1987年獲得佛羅里達(dá)州大學(xué)博士學(xué)位，現(xiàn)為中部佛羅里達(dá)州大學(xué)（the University of Central Florida (UCF)）教授。目前的研究主要集中在計(jì)算機(jī)輔助微納電子設(shè)計(jì)、射頻器件模型與模擬以及靜電保護(hù)設(shè)計(jì)與模擬領(lǐng)域。

劉俊杰教授（右）