欧美 偷窥 清纯 综合图区|精品丰满一区二区三区蜜桃|丝瓜芭乐樱桃秋葵小蝌蚪榴莲84|一区二区视频在线|的艳妇性史|色噜噜狠狠色综合久夜色撩人|乱理片 新乱理片2018

當前位置 首頁 人才隊伍
  • 姓名： 許曉欣
  • 性別： 女
  • 職稱： 研究員
  • 職務： 
  • 學歷： 博士
  • 電話： 010-82995923
  • 傳真： 
  • 電子郵件： xuxiaoxin@ime.ac.cn
  • 所屬部門： 微電子器件與集成技術重點實驗室
  • 通訊地址： 北京市朝陽區北土城西路3號

    簡　　歷：

  • 教育背景

    2014/7-2017/6，中國科學院大學，微電子與固體電子學，博士?

    2011/6-2014/7，山東大學，集成電路工程，碩士?

    2007/9-2011/6，中國礦業大學，應用物理系，學士
    工作簡歷

    2022.11-今，中國科學院微電子研究所，研究員;?

    2020/07-2022.11，中國科學院微電子研究所，副研究員;?

    2017/07-2020.07，中國科學院微電子研究所，助理研究員

    社會任職：

    研究方向：

  • 新型非揮發存儲技術，新型存儲器應用技術；神經形態計算器件與集成；神經形態計算系統

    承擔科研項目情況：

  • 1.中科院人才項目，中科院青年創新促進會優秀會員，2023.1-2025.12

    2.科技部攻關項目，嵌入式RRAM SoC芯片，子課題負責人，2022.1.1-2024.12?

    3.科技創新2030-重大項目：具有多時間尺度神經動力學的憶阻器件研究，課題負責人，2021.12-2026.11?

    4.中科院先導C項目：阻變存儲器芯片加工驗證，課題負責人，2021.1-2023.12?

    5.市科技項目：基于阻變存儲器的陣列控制器芯片研發及示范應用，項目負責人，2020.7-2022.7?

    6.自然科學基金-青年基金項目：阻變存儲器陣列可靠性的拖尾效應研究，項目負責人，2019.1-2021.12

    代表論著：

  • 1.First demonstration of OxRRAM integration on 14nm FinFet platform and scaling potential analysis towards sub-10nm node, X. Xu, J. Yu, T. Gong, J. Yang, J. Yin, D. Dong, Q. Luo, J. Liu, Z. Yu, Q. Liu, H. Lv*, M. Liu, 2020 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 24.3.1.
    2.40×retention improvement by eliminating resistance relaxation with high temperature forming in 28 nm RRAM chip, X. Xu, L. Tai, T. Gong, J. Yin, P. Huang, J. Yu, D. Dong, Q. Luo, J. Liu, Z. Yu, X. Zhu, X. Wu, Q. Liu, H. Lv*, M. Liu*, [C] IEEE International Electron Devices Meeting. 2018, 20.1.1.?
    3.A 128kb stochastic computing chip based on RRAM flicker noise with high noise density and nearly zero autocorrelation on 28-nm CMOS platform, T. Gong, Q. Hu, D. Dong, H. Jiang, J. Yang*, X. Xu*, X. Chen, Q. Luo, Q. Liu, S. Chung, H. Lyu, M. Liu, [C] IEEE International Electron Devices Meeting. 2021, 12-5.?
    4.3D Reservoir Computing with High Area Efficiency (5.12 TOPS/mm2) Implemented by 3D Dynamic Memristor Array for Temporal Signal Processing, W. Sun, W. Zhang, J. Yu, Y. Li, Z. Guo, J. Lai, D. Dong, X. Zheng, F. Wang, S. Fan, X. Xu*, D. Shang*, M. Liu; [C] IEEE Symposium on VLSI Technology. IEEE, 2022: C25-2, 1-2.
    5.Fully CMOS compatible 3D vertical RRAM with self-aligned self-selective cell enabling sub-5nm scaling, X. Xu, Q. Luo, T. Gong, H. Lv*, S. Long, Q. Liu, S. S. Chung, J. Li, and M. Liu*. [C] IEEE Symposium on VLSI Technology. IEEE, 2016: 1-2.
    6.Energy efficient and robust reservoir computing system using ultrathin (3.5 nm) ferroelectric tunneling junctions for temporal data learning, J. Yu, Y, Li, W. Sun, W. Zhang, Z. Gao, D. Dong, Z. Yu, Y. Zhao, J. Lai, Q. Ding, Q. Luo, C. Dou, Q. Zuo, Y. Zhao, S. Chen, R. Zou, H. Chen, Qiwei Wang, H. Lv, X. Xu*, D. Shang*, M. Liu, [C] IEEE Symposium on VLSI Technology. IEEE, 2021, T16-4.?
    7.A 14nm 100Kb 2T1R transpose RRAM with >150X resistance ratio enhancement and 27.95% reduction on energy-latency product using low-power near threshold read operation and fast data-line current stabling scheme, L. Wang, W. Ye, J. Lai, J. Liu, J. Yang, X Si, C. Huo, C. Dou*, X. Xu*(* corresponding author), Q Liu, D Shang, F. Zhang, H. Lv, M. Chang, H. Iwai, M. Liu, [C] IEEE Symposium on VLSI Technology, 2021, T0157.
    8.8-layers 3D vertical RRAM with excellent scalability towards storage class memory applications, Q. Luo, X. Xu, T. Gong, H. Lv*, D. Dong, H. Ma, P. Yuan, J. Gao, J. Liu, Z. Yu, .J. Li, S. Long, Q. Liu, M. Liu*, [C] IEEE International Electron Devices Meeting. 2017, 2.7.1.
    9.Endurance prediction based on hidden markov model and programming optimization for 28nm 1Mbit resistive random access memory chip, X. Zheng, L. Wu, D. Dong, J. Yu, J. Lai, W. Sun, X. Xue, B. Chen, W. Pang, X. Xu*, IEEE Electron Device Letters, 2023, 44(6): 102-104.
    10.Performance Improvement of Memristor-Based Echo State Networks by Optimized Programming Scheme, J. Yu, W. Sun, J. Lai, X. Zheng, D. Dong, Q. Luo, H. Lv, X. Xu*, IEEE Electron Device Letters, 2022, 43(6): 866-868.

    專利申請：

  • 1.一種RRAM的讀取電路及讀取方法，許曉欣，賴錦茹，孫文絢，鄭旭，董大年，余杰，樊邵陽，ZL202211155750.7

    2.一種RRAM陣列的讀取電路及讀取方法，許曉欣，賴錦茹，孫文絢，鄭旭，董大年，余杰，樊邵陽，ZL202211155763.4

    3.一種阻變存儲器及其制作方法，許曉欣，孫文絢，余杰，董大年，賴錦茹，呂杭炳，ZL202110319822.6

    4.一種儲備池計算網絡優化方法及相關裝置，許曉欣，孫文絢，余杰，董大年，鄭旭，ZL202211009477.7

    5.神經網絡運算系統，呂杭炳，許曉欣，羅慶，劉明，ZL201910083228.4

    6.用于雙極性阻變存儲器的選擇器件及其制備方法，劉明，羅慶，許曉欣，劉琦，呂杭炳，龍世兵，劉琦，ZL201610158468.2

    7.融合型存儲器，呂杭炳，羅慶，許曉欣，龔天成，劉明，ZL201910083230.1

    8.存儲單元結構及存儲器陣列結構、電壓偏置方法，呂杭炳，楊建國，許曉欣，劉明，ZL202010288743.9

    獲獎及榮譽：

  • 1.2022年，獲得中國科學院青促會優秀會員；

    2.2021年，獲得華為奧林帕斯先鋒獎；
    3.2021年，獲得2021年度微電子所“先進工作者”
    4.2019年，入選中國科協青年人才托舉工程；
    5.2018年，獲得中國科學院杰出科技成就獎；
    ?

    ?

    ?