李俊杰--中國科學院微電子研究所

人才隊伍

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姓名： 李俊杰
性別： 男
職稱： 正高級工程師
職務：
學歷： 博士
電話： 010-82995794
傳真： 010-82995783
電子郵件： lijunjie@ime.ac.cn
所屬部門： 先導中心
通訊地址： 北京市朝陽區北土城西路3號

簡　　歷：

教育背景：
2018-2021 中國科學院微電子研究所，微電子學與固體電子學專業，工學博士?
2004-2007 北京航空航天大學，信息功能材料，工學碩士?
2000-2004 武漢理工大學，材料科學與工程，工學學士
工作簡歷：
2013-至今中國科學院微電子研究所? 高級工程師? 中國科學院技術支撐人才碩士生導師?
2007-2013 北方華創（原北方微電子）? 產品經理

社會任職：

研究方向：

?先導刻蝕技術，納米器件及關鍵工藝，紅外傳感/探測器技術

承擔科研項目情況：

2021.1-2024.12 中科院先導C類先導專項，3-1nm關鍵工藝模塊子課題負責人
2021.9-2023.9? 中國科學院儀器設備功能開發技術創新項目，課題負責人?
2022.1-2025.12 中國科學院技術支撐人才項目（工程類），課題負責人?
2022.1-2023.6?? 橫向課題/SiGe/Si選擇性刻蝕與納米溝道釋放，課題負責人?
2019.1-2021.12 北京科委項目紅外探測器關鍵技術，項目骨干?
2013.9-2017.9? 國家科技重大專項22-14nm先導技術研究，技術骨干

代表論著：

?1，Jun jie Li,Wenwu Wang,Yongliang Li et al., Study of selective isotropic etching Si₁_？_xGe_x in process of nanowire transistors. J. Mater. Sci. Mater. Electron. 2020, 31, 134–143
2，Jun jie Li, Yongliang Li,Guilei Wang, Wenwu Wang et al., A Novel Dry Selective Isotropic Atomic Layer Etching of SiGe for Manufacturing Vertical Nanowire Array with Diameter Less than 20 nm. Materials 2020, 13, 771?
3. Jun jie Li, Yongliang Li,Guilei Wang, Wenwu Wang et al., Study of Silicon Nitride Inner Spacer Formation in Process of Gate-all-around Nano-transistors. Nanomaterials 2020, 10, 1–11?
4. Radamson, H. Jun jie Li, et al., State of the Art and Future Perspectives in Advanced CMOS Technology. Nanomaterials 2020, 10, 1555?
5. Na Zhou,Junjie Li, et al.,Deep silicon etching for thermopile structures using a modified Bosch process. Journal of Micro/Nanolithography,MEMS,and MOEMS 18(02):1?
6. Qingzhu Zhang, Huaxiang Yin,Jun Luo,Hong Yang,Zhenghua Wu,Junjie Li, et al., The Study of Reactive Ion Etching of Heavily Doped Polysilicon Based on HBr/O2/He Plasmas for Thermopile Devices. Materials 2020, 13(19), 4278 ?
7. Jianyu Fu,Junjie Li et al., Improving sidewall roughness by combined RIE-Bosch process. Materials Science in Semiconductor Processing 83 (2018) 186–191?
8.Zhaohao Zhang,Gaobo Xu,Qingzhu Zhang,Junjie Li, et al., FinFET with Improved Subthreshold Swing and Drain Current using 3 nm Ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2. IEEE Electron Device Letters PP(99)?
9. Xiaogen yin, yongkui zhang,huilong zhu,guilei wang, Junjie li, lichen, et al.,Vertical Sandwich Gate-All-Around Field-Effect Transistors with Self-Aligned High-k Metal Gates and Small Effective-Gate-Length Variation. Electron Device Letters2019, 41, 8–11,doi:10.1109/LED.2019.2954537 IF 3.753?
10.Chen Li, Huilong Zhu, Yongkui Zhang,Qi Wang, Xiaogen Yin, Junjie Li,et al., First Demonstration of Novel Vertical Gate-All-Around Field-Effect-Transistors Featured by Self-Aligned and Replaced High-κ Metal Gates. Nano Letters 21(11)

專利申請：

1. 李俊杰，劉耀東，羅軍等，一種二極管探測器、探測器及探測器制作方法，授權專利號：ZL202010059368.0
2. 李俊杰，劉耀東，周娜等，一種金屬納米線或片的制作方法及納米線或片，授權專利號：ZL201910787862.6?
3. 李俊杰，吳振華，王文武等，一種納米線的制作方法，授權專利號：ZL201810596945.2?
4. 李俊杰，徐秋霞，殷華湘，李俊峰等，納米線圍柵MOS器件及其制備方法，授權專利號：ZL201810745480.2?
5. 李俊杰，王桂磊，李永亮等，一種微電極結構及其制作方法及包括該器件的電子設備，授權專利號：ZL201910380542.9?
6. 李俊杰，傅劍宇，高建峰，楊濤等，一種紅外吸收薄膜結構及制作方法及其電子設備，?
授權專利號：ZL201910457839.0?
7. 李俊杰，李永亮，王文武，半導體器件與其制作方法，授權專利號：ZL201810596940.X?
8. 李俊杰，周娜，李永亮，王桂磊，殷華湘等，內側墻的刻蝕方法、刻蝕氣體及納米線器件的制備方法，授權專利號：ZL201911234819.3?
9. 李俊杰，吳振華，張青竹，王文武，包括納米線的器件與其制作方法，授權專利號：ZL201810502936.2?
10. 李俊杰，王桂磊，李永亮，周娜，楊濤，傅劍宇，李俊峰，殷華湘，朱慧瓏，王文武，三維固態電容器的制造方法、三維固態電容器及電子設備，授權專利號：ZL201910380546.7

獲獎及榮譽：

中科院微電子研究所先進工作者（十佳員工）
中國科學院院長特別獎?
唐立新獎?
王守武獎?
國家獎學金博士獎

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社會任職：

研究方向：

承擔科研項目情況：

代表論著：

專利申請：

獲獎及榮譽：

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