教育背景
2001年9月—2005年7月 河北省河北工業大學信息工程學院 微電子學與固體電子學 本科學習，獲得微電子學與固體電子學學士學位。
2006年9月—2011年7月 中國科學院微電子研究所 微電子學與固體電子學 博士研究生學習，獲得微電子學與固體電子學博士學位。
工作簡歷
2011年7月—2014年12月 中國科學院微電子研究所 微波器件與集成電路研究室，
任職 助理研究員，從事InP高頻器件及MMIC工藝開發工作;
2014年12月至2017年6月 中國科學院微電子研究所 高頻高壓中心，
任職 副研究員，從事InP基高頻器件及MMIC研發工作;
2017年6月至2018年12月 中國科學院微電子研究所 高頻高壓中心，
任職 副研究員、課題組長, 從事InP基高頻器件及MMIC研發工作，管理課題組綜合事務;
2018年12月至2021年7月 中國科學院微電子研究所 高頻高壓中心，
任職 中心副主任、副研究員，從事InP基高頻器件及MMIC研發工作，協助中心主任管理研發中心綜合事務;
2021年7月 至今 中國科學院微電子研究所 高頻高壓中心，
任職 研究員、中心副主任，從事InP基高速器件及MMIC研發工作，協助中心主任管理研發中心綜合事務。
長期從事InP基微波毫米波器件與集成電路研究工作，具有深厚的理論基礎和豐富的實踐經驗。
器件及電路工藝方面，開發了InP HBT三臺面器件的BCB平坦化工藝、InP材料的ICP干法刻蝕工藝，實現了0.5μm發射極寬度的器件，研制出針對毫米波功率放大器設計以及針對超高速數字電路設計的InP DHBT晶體管，器件截止頻率超過250GHz，最高振蕩頻率大于600GHz，建立了具有獨立知識產權的2~3英寸InP HBT MMIC整套工藝流程，其中關鍵工藝包括發射極基極金屬自對準、ICP干法刻蝕、BCB平坦化、TaN電阻薄膜濺射、CVD生長SiN介質，MMIC整套工藝中集成了InP HBT晶體管、TaN電阻、SiN MIM電容、螺旋電感、CPW傳輸線，滿足毫米波集成電路與超高速數字電路的設計與制作，從工藝方面建立了成熟可靠的InP HBT器件工藝流程。在器件模型方面，依據InP HBT器件研制工藝，建立了InP HBT大信號模型庫，開發了基于InP HBT的電路設計套件，具備DRC、LVS功能，應用于InP HBT相關項目中的3mm以及超高速電路設計；基于研發的InP HBT MMIC工藝以及電路設計開發套件設計并研制了500MHz~62GHz靜態分頻器系列電路、10MHz~67GHz寬帶混頻器芯片、20Gbps DEMUX等超高速數模混合芯片。
2014年1月~2016年12月，自然基金項目“基于低頻噪聲機理分析的InP HBT可靠性研究” 已結題 27萬元 項目負責人
2016年1月~2018年12月，高技術項目“InP DHBT 高速電路” 已結題 600萬元項目負責人
2017年1月~2019年12月，高技術項目“混頻器” 已結題 163萬元 項目負責人
2019年1月~2024年12月，高技術項目 “InP基太赫茲器件研究”執行中 1108萬元 子課題負責人
2013年1月~2015年12月，高技術項目 “InP HBT電路關鍵技術”已結題 200萬元 項目骨干
2014年1月~2016年12月，01專項 “InP低噪聲和功率MMIC”已結題 604萬元 項目骨干
2014年7月~2017年12月，高技術項目 “10MHz~50GHz寬帶混頻器”已結題 740萬元 項目骨干1、Su Yongbo, Jin Zhi, Cheng Wei, Liu Xinyu, Xu Anhuai, Qi Ming, “Ultra High-Speed InP/InGaAs DHBTs with ft of 203GHz”, Journal of Semiconductors, Vol.30, No.1, 2009, pp.014002-1~014002-3
2、Su Yongbo, Jin Zhi, Cheng Wei, Ge Ji, Wang Xintai, Chen Gaopeng, Liu Xinyu, Xu Anhuai, Qi Ming, “An InGaAs/InP 40GHz CML static Frequency divider”, Journal of Semiconductors, Vol.32, No.3, 2011, pp.035008-1~035008-4
3、 Jin Zhi, Su Yong Bo, Cheng Wei, Liu Xin-Yu, “Common-base Multi-finger Submicron InGaAs/InP Double Heterojunction bipolar transistor with fmax of 305GHz”, Solid-State Electronics, 2008, 52, pp.1825-1828
4、Jin Zhi, Su Yong Bo, Cheng Wei, Liu Xin-Yu, “High-Breakdown-Voltage Submicron InGaAs/InP Double Heterojunction Bipolar Transistor with ft=170GHz and fmax=253GHz”, Chineses Physics Letters, Vol.25, No.7, 2008, pp.2686-2689
5、Jin Zhi, Su Yong Bo, Cheng Wei, Liu Xin-Yu, “High Current Multi-finger InGaAs/InP Double Heterojunction Bipolar Transistor with the Maximum Oscillation Frequency 253GHz ”, Chineses Physics Letters, Vol.25, No8, 2008, pp.3075-3078
6、Jin Zhi, Su Yong Bo, Cheng Wei, Liu Xin-Yu, “High Speed InGaAs/InP Double Heterostructure Bipolar Transistor with High Breakdown Voltage ”, Chineses Physics Letters, Vol.25, No.7, 2008, pp.2683-2685
7、Zhi Jin, Yongbo Su, Jianwu Chen, Xinyu Liu, Dexin Wu, “Study of AlN dielectric film on grapheme by Raman microscopy”, Applied Physics Letters 95, 1 (2009)
8、 Wenxiang Zhen, Shurui Cao, Yongbo Su*, Zhi Jin, A Novel Design Method of SOF for InP DHBT ECL and CML Static Frequency Dividers. IEEE Microwave and Wireless Components Letters. VOL. 31, NO. 6, June 2021. SCI，IF:2.864
9、WX Zhen, Yongbo Su*, Z Jin*. et. al. “A 25-GSa/s InP DHBT Track-and-Hold Amplifier using Active Peaking Input Buffer ” 2021. IEEE Microwave and Wireless Components Letters. SCI，IF:2.864。
10、Hua Xu, Wenxiang Zhen, Shurui Cao, Yongbo Su* and Zhi Jin*. A wideband InP Gilbert-cell mixer using current bleeding and capacitive degeneration technique. IEICE Electronics Express, 2021 Vol.18, No. 13,1-6. SCI. IF:0.57 (DOI:10.1587/elex.18.20210225)
2019年榮獲科技進步獎二等獎（第2完成人）
2019年榮獲優秀黨群干部
2017年度中科院微電子所十佳先進工作者
2014年入選中國科學院青年創新促進會會員
2012年度、2014年度所優秀員工
人才隊伍