教育背景
2003.9—2007.7? 南京理工大學? ?電子科學與技術? ? 學士學位
2007.9—2012.7? 中國科學院微電子研究所? 微電子與固體電子學? 博士學位
工作簡歷
2012.10—2017.4? 中國科學院微電子研究所? 助理研究員，所團委委員
2017.4—2022.9? 中國科學院微電子研究所? 副研究員
2022.9-至今? ? ?中國科學院微電子研究所? 研究員
? ? 其中，2017.5起所團委副書記，2018.12起高頻高壓中心副主任，2021.10起高頻高壓中心主任，黨委委員。
中國科學院青年創新促進會會員
中國電力企業聯合會電力集成電路標準化技術委員會委員
III族氮化物微波功率器件? 化合物半導體界面物理與異質集成?
1.國家高層次青年拔尖人才項目，項目負責人； 2.國家重大科研儀器研制項目，“新型異質材料常溫集成系統”項目，任務負責； 3.高新技術領域重點項目，“材料與集成”，項目負責人； 4.高新技術領域工程項目，“AlN輔助生長器件”，項目負責人； 5.中國科學院青年創新促進會會員項目； 6.中科院科技服務網絡（STS）區域重點項目，“硅基氮化鎵增強型電力電子核心器件與產業化”項目，項目負責人； 7.國家重大科研儀器研制項目，“新型GaN電子器件低界面態介質生長系統”項目，核心骨干（執行負責人）； 8.國家自然科學基金青年項目，“兼容CMOS工藝的Ga2O3輔助GaN-to-Si異質鍵合技術及機理研究”項目，項目負責人；
(1)Xinhua Wang; et al. Cost-Effective 1200 V SiC MOSFETs on a Novel 150 mm SiC Engineered Substrate with Dummy-Grade Material Reuse, 2024 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), San Francisco, CA, USA, 2024-12-7至2024-12-11
(2)Tian, Ye, Gao, Runhua; Wang, Xinhua Wang*, Xinhua; et al. Wafer-scale N-polar GaN heterogeneous structure fabricated by surface active bonding and laser lift-off, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2024, 1006: 176253
(3)Kexin Deng, Xinhua Wang*, et al. Effective suppression of deep interface states and dielectric trapping in SiNx/GaN metal-insulator-semiconductor structures by a SiOxNy interfacial layer grown by plasma-enhanced atomic layer deposition.?
Applied Surface Science, vol.607, p. 154937, 2023
(4)Xinhua Wang, et al. Partially Crystallized Ultrathin Interfaces between GaN and SiNx Grown by Low-Pressure Chemical Vapor Deposition and Interface Editing. ACS Appl. Mater. Interfaces, vol. 13, no. 6, pp. 7725–7734, 2021.
(5)Kexin Deng?, Xinhua Wang?*, et al. Suppression and characterization of interface states at low-pressure-chemical-vapor-deposited SiNx/III-nitride heterostructures. Applied Surface Science, vol. 542, p. 148530, 2021.
(6)Xinyu Liu+, Xinhua Wang+,*, et al. “Insight into the Near-Conduction Band States at the Crystallized Interface between GaN and SiN x Grown by Low-Pressure Chemical Vapor Deposition,” ACS Appl. Mater. Interfaces，10(25), pp. 21721–21729 , 2018.
(7)Xinhua Wang, et al. Robust SiNx/AlGaN Interface in GaN HEMTs Passivated by Thick LPCVD-Grown SiNx Layer. IEEE Electron Device Letter, 36(7), p.666, 2015
(1)王鑫華; 劉新宇; 高潤華; 邢湘杰; 黃森; 魏珂 ; 一種薄膜半導體與金剛石復合襯底及其制造方法, 2023-10-20, 中國, 202310960195.3
(2) 王鑫華; 邢湘杰; 高潤華; 劉新宇; 黃森; 魏珂 ; 一種基于臨時載體的SiC/金剛石復合襯底制造方 法, 2023-10-03, 中國, 202310960260.2
?(3) 王鑫華; 劉新宇; 黃森; 蔣浩杰; 魏珂; 殷海波; 樊捷 ; 一種匹配氮化鎵材料的低界面態復合介質結 構及其制備方法, 2020-4-30, 中國, 202010369832.6
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