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當前位置 首頁 人才隊伍
  • 姓名： 孫兵
  • 性別： 男
  • 職稱： 研究員
  • 職務： 
  • 學歷： 博士
  • 電話： 010-82995593
  • 傳真： 010-62021601
  • 電子郵件： sunbing@ime.ac.cn
  • 所屬部門： 高頻高壓器件與集成研發中心
  • 通訊地址： 北京市朝陽區北土城西路3號

    簡　　歷：

  • 教育背景

    2005.09-2010.07 北京大學信科微電子系 碩博連讀

    2001.09-2005.07 南京大學物理學系 本科

    工作簡歷

    2023.12-至今??中國科學院微電子研究所 研究員

    2014.12-2023年12月? 中國科學院微電子研究所 副研究員

    2010.07-2014.11? 中國科學院微電子研究所 助理研究員

    社會任職：

    研究方向：

  • 高遷移率CMOS技術與器件

    承擔科研項目情況：

  • 1. 國家自然科學基金青年基金項目，高遷移率Ⅲ-Ⅴ MOS器件復合柵介質界面調控機理的研究，61106095，2012-2014年，28萬元，項目負責人，已結題。

    2. 國家重點研發計劃：“碳基/硅基CMOS 電路的混合集成”課題，2016YFA0201903，240萬元，2016.7-2021.6, 子課題負責人，在研。

    3. 國家973項目（2010CB327501）課題：“超高頻化合物基CMOS器件和電路研究”（2010-2014），參與人，已結題。

    4. 國家973項目（2011CBA00605）課題：“超低功耗高性能集成電路器件與工藝基礎研究”（2011-2015），參與人，已結題。

    5. 國家科技重大專項課題（2011ZX02708-003）：“高遷移率CMOS新結構器件與工藝集成研究”（2011-2014），參與人，已結題。

    代表論著：

  • 1. B. Sun, H. D. Chang, S. K. Wang, P. Ding, J. B. Niu, Z. J. Gong, H.-G Liu, “100-nm Gate-Length GaAs mHEMTs Using Si-doped InP/InAlAs Schottky Layers and Atomic Layer Deposition Al2O3 Passivation with fmax of 388.2 GHz”, The 7th IEEE International Nanoelectronics Conference (INEC2016), T9-5, May 9-11, 2016, Chengdu, China.

    2. B. Sun, Z. H. Zeng, H. D. Chang, Q. L. Sun, S. K. Wang, W. X. Wang, H. -G. Liu, “InGaSb Buried-Channel pMOSFET Fabricated by Using Digital Etch Technique”, Extend Abstract of International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2014), p.124, 2014, Tsukuba, Japan.

    3. B. Sun, W. Zhao, S. Y. Li, H. D. Chang, S. K. Wang, J. Q. Pan, H. -G. Liu, “The effect of in-situ ozone annealing per cycle on Al2O3 gate dielectric deposited by atomic layer deposition using TMA and H2O for InGaAs MOS capacitor”, The 12th International Conference on Solid State and Integrated Circuit Technology (ICSICT-2014), Oct. 28- 31, 2014, Guilin, China.

    4. B. Sun, H. D Chang, L. Lu, H. -G. Liu, D. X. Wu, “High-Quality Single Crystalline Ge (111) Growth on Si (111) Substrates by Solid Phase Epitaxy”, Chin. Phys. Lett. Vol. 29, No. 3 (2012)036102.

    5. B. Sun, L. S. Wu, H. D. Chang, W. Zhao, B. Q. Xue, H. -G. Liu, “Source/Drain Ohmic Contact Optimization for GaSb pMOSFETs”, The 11th International Conference on Solid State and Integrated Circuit Technolog (ICSICT-2012), Xi’ An, Oct. 29 - Nov. 1, 2012.

    專利申請：

  • PCT專利申請：

    1. 孫兵，劉洪剛，趙威，王盛凱，常虎東，在半導體襯底表面制備鋅摻雜超淺結的方法，PCT/CN2014/075402

    授權專利：

    1. 孫兵，劉洪剛，一種高遷移率襯底結構及其制備方法，CN 102569364B。

    2. 孫兵，劉洪剛，一種高遷移率CMOS集成單元，CN 102544009B。

    3. 孫兵，劉洪剛，趙威，王盛凱，常虎東，一種納米線襯底結構及其制備方法，CN 103633123B

    獲獎及榮譽：