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科研動態

“氧化物阻變存儲器機理與性能調控”項目榮獲2016年國家自然科學二等獎

稿件來源: 發布時間:2017-01-10

國家科學技術獎勵大會于2017年1月9日上午在北京人民大會堂隆重舉行。微電子所獨立完成的“氧化物阻變存儲器機理與性能調控”項目獲得2016年國家自然科學二等獎。  

“氧化物阻變存儲器機理與性能調控”項目主要完成人為劉明、劉琦、管偉華、龍世兵、王艷。高性能存儲是信息技術的基礎,本項目針對新型氧化物阻變存儲技術中的基礎科學問題開展了系統研究,主要科學發現包括在納米尺度揭示了阻變機理、發現了功能層摻雜調控存儲性能的規律、提出了局域電場增強器件參數一致性的方法。8篇代表性論文和20篇主要論文分別被SCI他引750次、1158次,作為典型進展被寫入15本著作和40篇綜述,成功研制了基于HfO2的1kb 阻變存儲器測試芯片,相關專利已授權/許可給中芯國際和武漢新芯。 

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