近日，2015年度中國科學(xué)院王寬誠人才獎項評選結(jié)果公布，微電子所副研究員呂杭炳、劉琦榮獲“中國科學(xué)院盧嘉錫青年人才獎”。此次全院共有50位青年學(xué)者獲此殊榮。  

　　呂杭炳主要從事阻變存儲器（RRAM）的研究工作，在阻變存儲器的集成技術(shù)、芯片設(shè)計和可靠性等方面開展了系統(tǒng)的研究工作，研制了具有完整讀寫功能的1 kb RRAM存儲芯片，建立了能夠同時兼顧實驗室研發(fā)與企業(yè)大生產(chǎn)的研發(fā)平臺；觀測到了導(dǎo)電細絲經(jīng)過多次編程后形貌、組分的演變過程，揭示了RRAM存儲特性的衰退機制，并有針對性的提出了優(yōu)化方案；研制成功具有4層堆疊結(jié)構(gòu)的三維存儲陣列；作為負責(zé)人主持“863”計劃子課題1項、國家自然科學(xué)基金2項；在Nature Communication、Scientific Reports、Advanced Materials、IEEE Electron Devices Letter等國內(nèi)外重要學(xué)術(shù)刊物和會議上發(fā)表論文60余篇，SCI他引675次，H因子15，作國際會議邀請報告6次；獲得中國發(fā)明專利授權(quán)16項，美國發(fā)明專利授權(quán)2項。 

　　劉琦主要從事納米加工與新型納米電子器件的研究工作，在阻變存儲器（RRAM）的性能優(yōu)化、集成、微觀機制的表征和建模上開展了系統(tǒng)的研究工作，提出了阻變功能層摻雜的材料優(yōu)化方案，解決了RRAM器件激活電壓高、產(chǎn)率低和重復(fù)性差的難題；提出了“局域電場增強”的新器件設(shè)計思想，實現(xiàn)了導(dǎo)電通路生長的可控性，解決了RRAM器件參數(shù)離散影響集成的難題；首次實時獲得導(dǎo)電通路形成/破滅的動態(tài)過程，揭示了電阻轉(zhuǎn)變的微觀機制，建立了多值阻變模型；獲得國家自然科學(xué)基金委優(yōu)秀青年科學(xué)基金項目，主持和參與了國家自然科學(xué)基金委、國家科技重大專項、“863”計劃、“973”計劃等多項關(guān)于新型存儲技術(shù)項目；獲得北京市科學(xué)技術(shù)二等獎1項（排名第二），在Nat.Commun.、Adv. Mater.、Nano Lett.、ACS Nano、Adv.Funct.Mater.、EDL和APL等期刊發(fā)表SCI論文60多篇，SCI他引1400多次，H因子18，獲得授權(quán)中國發(fā)明專利14項，美國發(fā)明專利2項。 

　　“盧嘉錫青年人才獎”是在王寬誠教育基金會資助下設(shè)立，旨在吸引和凝聚創(chuàng)新思想活躍的青年人才，鼓勵青年人才面向國家戰(zhàn)略需求和國際學(xué)科前沿，在創(chuàng)新實踐活動中鍛煉成長，獎勵在各學(xué)科領(lǐng)域做出突出貢獻的青年科技人才。