2月27日，2014年度北京市科學技術獎勵大會召開。微電子所科技成果“阻變存儲器及集成中的基礎問題”、“等離子體浸沒離子注入機開發與應用”分別榮獲北京市科學技術獎二等獎和北京市科學技術獎三等獎。 

　　阻變存儲器（RRAM）作為重要的新型存儲技術得到學界和業界廣泛關注，是微電子領域的前沿和研究熱點。微電子所劉明研究員團隊針對RRAM性能提升和集成中的瓶頸問題，如材料/結構對器件性能影響規律、器件參數離散起源及電阻轉變的物理機理等，開展了系統的研究，創新思想和學術成果在國際上引起了廣泛關注。 

　　微電子所夏洋研究員團隊研發的等離子體浸沒超低能離子注入原理樣機，應用于超淺結注入、三維Fin結構保形注入、黑硅太陽能電池的制備工藝，不僅滿足了實驗室用機的需求，也為發展我國自主知識產權的微電子關鍵裝備進行了技術儲備。