11月20日，我所舉行聘任宏力半導(dǎo)體公司（Grace Semiconductor Manufacture Corp.）副總裁孔蔚然為客座研究員儀式?？孜等桓笨偛迷诮邮苋~甜春所長頒發(fā)的聘書后為現(xiàn)場師生作了題為“Endurance Study of Si-Floating-Gate Flash Memory”的精彩報(bào)告，與大家進(jìn)行了熱烈的討論與交流。

　　孔蔚然，1985年在南開大學(xué)獲得物理學(xué)學(xué)士學(xué)位，于1993年和1995年在美國俄勒岡科技研究生院（Oregon Graduate Institute of Science & Technology ）分別獲得電子工程學(xué)碩士與應(yīng)用物理學(xué)博士學(xué)位。他曾先后任職于schlumberger、ISSI、LSI Logic、Sun Microsystems，于2003年加入宏力半導(dǎo)體（GSMC），現(xiàn)任副總裁。

　　孔蔚然副總裁在宏力半導(dǎo)體（GSMC）期間領(lǐng)導(dǎo)并完成了多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)和產(chǎn)品的研發(fā)工作，其中包括0.25/0.18μm NOR Flash，0.15μm LV Logic，0.12μm NOR Flash，0.25/0.18/0.15μm Embedded Flash。目前，微電子所微細(xì)加工與納米技術(shù)研究室（三室）正與宏力半導(dǎo)體公司（GSMC）開展硅納米晶嵌入式閃存的合作研究，并已在8英寸生產(chǎn)線上完成關(guān)鍵技術(shù)。　

　　葉甜春所長（右）向孔蔚然副總裁頒發(fā)聘書