日前，中科院微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心（十室）09級(jí)研究生劉佳的“先進(jìn)FinFET結(jié)構(gòu)”最新研究成果和于偉澤的“非對(duì)稱性的高k金屬柵”最新研究成果，被11月于上海舉行的國(guó)內(nèi)微電子學(xué)領(lǐng)域最具影響力國(guó)際會(huì)議International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(ICSICT-2010)接收。

　　劉佳、于偉澤分別在集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心駱志炯研究員和尹海洲研究員的指導(dǎo)下，對(duì)先進(jìn)FinFET結(jié)構(gòu)和非對(duì)稱性的高k金屬柵進(jìn)行了深入課題研究，并得到了02重大科技專項(xiàng)基金的支持。撰寫的科研文章分別為L(zhǎng)ow Leakage Bulk Silicon Substrate Based SDOI FINFETs 和 Performance Optimization of n-MOSFETs Using Asymmetric Interfacial Oxide layer。