10月14日，微電子所團(tuán)委、青促會聯(lián)合舉辦“崗位大練兵暨第三屆青年技術(shù)能手大賽”系列報告會，邀請微電子所研究員、韋亞一作了題為《193nm波長浸沒式光刻技術(shù)》的學(xué)術(shù)報告。微電子所職工、學(xué)生共30余人參加了報告會。 

　　韋亞一在報告中介紹了光刻技術(shù)的發(fā)展歷程，深入講解了193nm波長下的浸沒式曝光技術(shù)，包括材料、缺陷控制和分辨率增強(qiáng)技術(shù)等，分析了光刻技術(shù)當(dāng)前面臨的發(fā)展問題。與會人員就相關(guān)技術(shù)問題與韋亞一進(jìn)行了探討和交流。 

　　韋亞一長期從事半導(dǎo)體光刻領(lǐng)域設(shè)備、材料和制程研發(fā)，主持 “300mm晶圓勻膠顯影設(shè)備和光刻工藝研發(fā)”等多項國家科技重大專項項目，發(fā)表專業(yè)文獻(xiàn)60余篇。 

報告會現(xiàn)場