國內首次研制出4K動態隨機存儲器（DRAM）
來源：【字號：大 中 小】
1977年，全國自然科學學科規劃會議在北京召開，全國科研單位和高等院校的專家學者及管理干部共1200余人參會。會議結束時，中央領導人華國鋒、鄧小平等接見了參會代表。王守覺、吳德馨與魏策軍等作為參會代表受到了接見。這次會議是“科學的春天”到來之前的重要序幕，會上鄧小平同志針對我國集成電路產業發展的迫切需求提出，“你們一定要把大規模集成電路搞上去”。
1978年底，吳德馨先生承擔了N-MOS?4096位（4K）動態隨機存儲器（DRAM）研制重任。作為表面器件研究室405組組長，她在王守武先生的指導下，帶領團隊開展工藝和版圖設計研究，研制成功N-MOS 4096位動態隨機存儲器（DRAM）。她還在國內首次將正性膠光刻、干法刻蝕等先進工藝用于大規模集成電路研制，獨創“露點法”檢測接觸孔質量，大幅提升了大規模集成電路成品率。該技術推廣到上海器件五廠，為我國集成電路的工業生產奠定了基礎，大幅提升國產芯片量產可行性。隨后，她與團隊接續攻克16K、64K位DRAM技術，推動了我國存儲器技術迭代升級。
1980年，“N溝MOS?4096位動態隨機存儲器提高管芯成品率的研究”、“16K位MOS動態隨機存儲器”獲得中國科學院科技成果一等獎。
MOS?4K存儲器
MOS?16K存儲器
© 中國科學院微電子研究所 版權所有