作者信息：重點實驗室  劉宇 

圖片描述：本作品顯示的是在硅片表面外延生長SiN,在晶格失配及應力的作用下SiN沿<110>方向隨機斷裂，在經過濕法腐蝕后可以清晰地看到薄膜斷裂的線條，圖片展現了在錯綜復雜中同時又井然有序的自然之美。每次看到此圖都能提醒我們，在科研工作中要懂得從紛亂復雜的現象中發現自然的秩序，發現真正的科學之美。 

實驗方法：利用LPCVD在Si<100>面上生長SiN薄膜，控制工藝參數使薄膜產生缺陷，再用KOH溶液進行腐蝕使缺陷放大至肉眼可見。 

成像設備：蘋果手機