作者信息：存儲器中心  張保 

圖片描述：在三維立體場效應晶體管的制備過程中，溝道孔的刻蝕技術至關重要，直接決定著三維器件堆疊的數量以及器件質量。本作品顯示的是三維場效應晶體管制備過程中的溝道孔的刻蝕結果，溝道孔直徑為487nm，深度為130nm，然后再通過沉積技術和刻蝕工藝，制備具有存儲或運算功能的器件單元，從而探索三維場效應晶體管工作時的物理機理。對于三維立體器件而言，由不同直徑的溝道孔制備而成的功能器件具有不同曲率效應，在柵壓調控的過程中，不同的曲率效應會導致電場梯度的變化速率不同，從而實現不同的調控結果。因此，為了制備所需的三維立體功能器件，溝道孔的尺寸設計及其刻蝕技術，直接決定著器件的工作性能，屬于整個器件制備過程中最重要的工藝之一，是新型三維器件的物理研究的基礎，也是制備高密度集成電路的關鍵，通過不斷的完善和優化溝道孔的刻蝕工藝，將有利于開展三維功能器件的物理機理研究。 

實驗方法：該圖是將生長好的疊層材料，通過涂膠、光刻及顯影工藝后，直接通過干法刻蝕所得，然后通過掃描電子顯微鏡觀測溝道孔的刻蝕效果。 

取樣儀器名稱：掃描電子顯微鏡SEM—日立5500